Если вы ищете надежный и проверенный временем транзистор для своих электронных схем, обратите внимание на КТ837К. Этот транзистор, выпущенный в Советском Союзе, до сих пор используется в различных приложениях благодаря своим уникальным свойствам.
КТ837К — это n-p-n транзистор с открытым коллектором, что делает его идеальным для использования в схемах с общим коллектором. Он имеет максимальный ток коллектора 1 А и максимальную мощность рассеяния 65 Вт, что делает его подходящим для приложений с высокой нагрузкой. Кроме того, КТ837К имеет низкое сопротивление насыщения и высокую скорость переключения, что делает его отличным выбором для схем, требующих быстрой реакции.
Однако, как и у любого другого транзистора, у КТ837К есть свои ограничения. Например, он имеет относительно низкую максимальную температуру коллектора (150°C), что может ограничить его использование в приложениях с высокой температурой. Кроме того, КТ837К имеет относительно высокую стоимость по сравнению с другими транзисторами с открытым коллектором.
Область применения
Одной из ключевых областей применения является построение усилительных каскадов в аудиооборудовании. Транзистор КТ837К обеспечивает высокую линейность и низкий уровень искажений, что делает его идеальным выбором для создания качественных звуковых усилителей.
Также, транзистор нашел применение в радиосвязи и телевидении. Он используется в усилителях мощности передатчиков, а также в приемниках для усиления слабых сигналов. Благодаря своей надежности и стабильности, КТ837К является отличным выбором для использования в условиях высоких нагрузок и перепадов напряжения.
В области измерительной техники, транзистор применяется в качестве датчика для измерения различных физических величин, таких как температура, давление и влажность. Его высокая чувствительность и широкий диапазон рабочих температур делают его идеальным выбором для использования в различных условиях окружающей среды.
Наконец, транзистор КТ837К используется в качестве ключевого элемента в цифровых схемах, таких как микросхемы памяти и микроконтроллеры. Его высокая скорость переключения и низкое потребление энергии делают его идеальным выбором для использования в высокоскоростных и энергоэффективных системах.
Технические параметры
Начнем с основных электрических характеристик. Ток насыщения коллектора (IC) составляет 10 мА, а максимальный ток коллектора (IC(max)) — 1 А. Максимальная мощность рассеяния (PD(max)) равна 625 мВт.
Теперь перейдем к параметрам, связанным с усилительной способностью. Усиление тока (hFE) находится в диапазоне от 100 до 500 при Ic=100 мА. Максимальное усиление напряжения (hFE(max)) составляет 1000.
Для характеристик частоты важно знать, что максимальная частота переключения (fT) равна 3 МГц, а максимальная частота усиления (fmax) — 100 МГц.
Что касается статических параметров, то напряжение насыщения коллектора (VCE(sat)) составляет 0,8 В, а напряжение насыщения эмиттера (VEB(sat)) — 0,5 В.
Наконец, обратите внимание на размеры и монтаж. Размеры корпуса равны 10x10x10 мм, а тип корпуса — TO-18. Это важно учитывать при выборе места установки и схемы подключения.
