Характеристики транзистора кт812в параметры и применение

0
3

Кт812в характеристики транзистора

Для мощных усилителей низкой частоты и импульсных схем этот прибор подходит лучше многих аналогов. Его предельное напряжение коллектор-эмиттер достигает 300 В, а постоянный ток – 7 А, что делает его устойчивым к перегрузкам.

Коэффициент усиления по току (h21Э) варьируется от 15 до 60, в зависимости от экземпляра. Для стабильной работы в ключевом режиме рекомендуется использовать теплоотвод – максимальная рассеиваемая мощность составляет 60 Вт.

В импульсных блоках питания и преобразователях частоты он показывает минимальные потери на насыщение. Напряжение база-эмиттер в открытом состоянии не превышает 1,5 В, что снижает нагрев.

Корпус ТО-220 упрощает монтаж на радиатор. При пайке избегайте перегрева – максимальная температура кристалла ограничена 150°C.

Основные свойства и варианты использования КТ812В

Максимальный ток коллектора: 7 А, что позволяет использовать элемент в схемах с высокой нагрузкой. Напряжение коллектор-эмиттер: до 60 В, обеспечивает стабильную работу в цепях с повышенным напряжением.

Коэффициент усиления: 15–40, подходит для усилительных каскадов средней мощности. Рассеиваемая мощность: 40 Вт, требует установки радиатора при длительной эксплуатации под нагрузкой.

Температурный диапазон: от -60°C до +130°C, делает деталь устойчивой к перепадам в жестких условиях. Частотный предел: 3 МГц, ограничивает применение в высокочастотных схемах.

Рекомендации: применяется в блоках питания, стабилизаторах, импульсных преобразователях. Выходные каскады УНЧ – еще одна распространенная сфера. Для повышения надежности в мощных цепях используйте параллельное включение.

Основные электрические показатели КТ812В и их влияние на работу схемы

Максимальный ток коллектора (Iк макс) – 8 А. Превышение этого значения ведет к перегреву и выходу из строя. Для надежной работы оставляйте запас 20–30%.

Статические показатели

Коэффициент усиления по току (h21э) – от 15 до 60. Чем выше значение, тем меньше ток базы требуется для управления нагрузкой. Для стабильности в схемах с высоким разбросом используйте эмиттерный повторитель.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас) – не более 1,5 В при Iк = 5 А. В ключевых схемах это влияет на потери мощности: чем ниже Uкэ нас, тем эффективнее работа.

Динамические свойства

Граничная частота (fгр) – 3 МГц. При проектировании усилителей НЧ и СЧ не превышайте 0,3·fгр для минимизации искажений.

Емкость коллекторного перехода (Cк) – 300 пФ. В импульсных схемах это увеличивает время переключения. Для ускорения работы снижайте сопротивление в цепи базы.

Типовые схемы включения и примеры использования КТ812В

Схема усилителя мощности НЧ

Для построения усилителя низкой частоты используйте схему с общим эмиттером. Резистор R1 (4.7 кОм) задаёт ток базы, R2 (220 Ом) стабилизирует режим. Выходная мощность достигает 10 Вт при нагрузке 4 Ом. Конденсатор C1 (100 мкФ) устраняет отрицательную обратную связь по переменному току.

Ключевой режим в импульсных блоках питания

В импульсных преобразователях элемент работает в режиме насыщения. Частота переключений – до 50 кГц. Защитный диод VD1 (1N4148) шунтирует обмотку трансформатора, предотвращая пробой. Ток коллектора не должен превышать 5 А.

Пример: в стабилизаторе 12 В элемент управляет MOSFET-транзистором через резистор 100 Ом. Скорость переключения повышается добавлением ускоряющего конденсатора 1 нФ параллельно R1.

Важно: при монтаже на радиатор используйте теплопроводную пасту. Толщина слоя – не более 0.1 мм. Максимальная температура корпуса – 80°C.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь