Характеристики транзистора с8550 параметры и применение

Если требуется маломощный переключатель с напряжением до 40 В и током до 1.5 А, этот прибор подойдет. Его статический коэффициент передачи тока (h_FE) варьируется от 85 до 300, что обеспечивает стабильное усиление в широком диапазоне нагрузок.

Корпус TO-92 удобен для монтажа на плату без дополнительного охлаждения. Максимальная рассеиваемая мощность – 625 мВт, но при температурах выше 25°C требуется снижение нагрузки. Рабочий диапазон: от -55°C до +150°C.

В схемах обратной полярности часто применяют в выходных каскадах усилителей или для управления реле. Например, при коммутации нагрузки 12 В с током 500 мА падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер не превысит 0.5 В.

С8550: ключевые данные и варианты использования

Максимальный ток коллектора достигает 1,5 А, а напряжение между коллектором и эмиттером – 25 В. Коэффициент усиления по току (h_FE) варьируется от 85 до 300, что делает устройство подходящим для усилительных схем.

Основные электрические показатели

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер – не более 0,6 В при токе 500 мА. Рассеиваемая мощность – 625 мВт в стандартных условиях. Частотная граница – до 100 МГц, что позволяет использовать его в ВЧ-цепях.

Где применяется

Чаще всего встречается в схемах управления нагрузкой: реле, светодиодных лентах, электродвигателях малой мощности. Подходит для инверторов, стабилизаторов и генераторов сигналов. В паре с комплементарным S8050 образует push-pull каскад.

Корпус TO-92 упрощает монтаж на плату. Для отвода тепла при высоких токах рекомендуется пайка на площадку с медным покрытием.

Ключевые показатели С8550 и их роль в схемотехнике

Максимальный ток коллектора (I_C) – 1,5 А. Превышение значения приведёт к перегреву и выходу из строя. Для стабильной работы держите нагрузку в пределах 70% от максимума.

Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO) – 25 В. При проектировании схем с индуктивной нагрузкой оставляйте запас минимум 30% от номинала.

Коэффициент усиления (h_FE) варьируется от 85 до 300. Для усилительных каскадов выбирайте экземпляры с h_FE > 200, для ключевых режимов достаточно 100-150.

Рассеиваемая мощность (P_tot) – 1 Вт без радиатора. При температурах выше +25°C снижайте нагрузку на 5% на каждый градус.

Частотная граница (f_T) – 150 МГц. В ВЧ-схемах избегайте длинных проводников и паразитных ёмкостей, снижающих эффективность.

Типовые схемы включения С8550 в усилительных и ключевых режимах

Для работы в усилительном режиме используйте схему с общим эмиттером:

• Напряжение питания: 5–20 В
• Сопротивление базы: 1–10 кОм
• Резистор в цепи коллектора: 470 Ом–2.2 кОм
• Коэффициент усиления по току (h_FE): 70–400

Пример схемы усилителя НЧ:

1. Подключите конденсатор 10 мкФ между входным сигналом и базой.
2. Установите резистор 4.7 кОм между базой и землёй.
3. Подключите коллектор к +12 В через резистор 1 кОм.
4. Нагрузку (динамик 8 Ом) подключите между коллектором и +12 В.

В ключевом режиме:

• Максимальный ток коллектора: 1.5 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.5 В при 500 мА
• Рекомендуемый ток базы: 1/10 от тока нагрузки

Схема для управления реле:

1. Подключите катушку реле между +24 В и коллектором.
2. Используйте резистор 1 кОм в цепи базы.
3. Подавайте управляющий сигнал 5 В через транзисторный ключ.
4. Установите защитный диод параллельно катушке.

Для повышения стабильности в усилителях:

• Добавьте эмиттерный резистор 100 Ом с шунтирующим конденсатором 47 мкФ.
• Примените отрицательную обратную связь через делитель напряжения на базе.

Основные показатели и их влияние на схемотехнику

Максимальный ток коллектора 1,5 А позволяет использовать элемент в цепях управления двигателями или светодиодными лентами. Для стабильной работы без перегрева не превышайте 500 мА при отсутствии радиатора.

Коэффициент усиления (hFE) варьируется от 70 до 140 в зависимости от партии. При расчете базового тока учитывайте минимальное значение – это гарантирует насыщение даже при разбросе параметров.

Напряжение коллектор-эмиттер до 25 В делает деталь пригодной для низковольтных блоков питания и преобразователей. В схемах с индуктивной нагрузкой добавляйте защитный диод параллельно обмотке реле или соленоида.

Рассеиваемая мощность 625 мВт требует контроля температуры корпуса. Для долговременной эксплуатации при токах выше 300 мА используйте медную площадку на плате или принудительное охлаждение.

Частотная граница 100 МГц ограничивает применение в ВЧ-устройствах. В генераторах или импульсных схемах с быстрыми фронтами выбирайте аналоги с меньшей емкостью перехода.